SC 2019超算研討(tao)會時，NVIDIA低(di)調做人(ren)更(geng)新(xin)(xin)了新(xin)(xin)款上市著名折(zhe)算卡“Tesla V100S”，自然(ran)(ran)而(er)然(ran)(ran)只是 已經Tesla V100的升(sheng)極傳奇。 

      Tesla V100早(zao)期(qi)公(gong)布(bu)的(de)(de)于201七年10月份的(de)(de)GTC 2017圖表(biao)大(da)(da)會議簡訊，特征提取奔馳e敞(chang)篷(peng)的(de)(de)Volta伏特系(xi)統(tong)架構、GV100大(da)(da)中(zhong)(zhong)心，臺(tai)積電12nm工藝技術制作，一體化2十億(yi)個(ge)尖(jian)晶石管，占(zhan)地面達815平(ping)米亳(bo)米，具有5120個(ge)CUDA中(zhong)(zhong)心、640個(ge)Tensor張量中(zhong)(zhong)心，較(jiao)早(zao)特征提取SXM2行態(tai)(300GB/s NVLink數(shu)據(ju)串(chuan)口通(tong)信)，飛快又加入(ru)了PCIe行態(tai)(32GB/s PCIe數(shu)據(ju)串(chuan)口通(tong)信)。1年多往日(ri)了，Tesla V100的(de)(de)戰略(lve)地位仍(reng)舊沒法抗(kang)衡，而(er)較(jiao)新的(de)(de)的(de)(de)Tesla V100S更進1步(bu)，中(zhong)(zhong)心、顯卡顯存(cun)同時起步(bu)，但(dan)功能損(sun)耗(hao)卻沒變。

      Tesla V100S只有PCIe擴展卡一種形態(tai)，雙精(jing)度(du)浮(fu)點性(xing)能8.2TFlops(萬億次浮(fu)點計(ji)算)，單精(jing)度(du)浮(fu)點性(xing)能16.4TFlops，深度(du)學(xue)習(xi)性(xing)能130TFlops，相(xiang)比于PCIe、SXM2版本(ben)的Tesla V100分別(bie)提升了最多17%、5％。

       顯卡顯存方位，我依然選擇HBM2，發熱量放置在32GB而不需要提供數據16GB板本，位寬仍為4096-bit，頻段從1.75GHz提高到2.21GHz，帶寬的配置也從900GB/s擴大到1134GB/s。

只有下跌起步的同時，Tesla V100S的顯卡功耗即使持續在250W，似乎無論是制造出加工過程依然本質組織架構都變得熟透。

      再者，從外在線看，Tesla V100S的“肩部”背景顏色從草紅色變得了億萬富翁獨特，很極易甄別。